经营分析 - 管理层经营报告
2023/12 | 净利润 | 营业收入 | ROE | 毛利率 | 净利率 | 净现比 | 费用率 | 存货周转 | 应收账款周转 | 市场占有率 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
东微半导 (同比增幅) |
1.4亿 (-50.7%) |
9.73亿 (-12.81%) |
4.92% (-70.59%) |
22.73% (-33.07%) |
14.39% (-43.5%) |
0.5 (+0.0%) |
8.08% (+52.45%) |
2.92次 (-45.62%) |
6.56次 (-16.33%) |
1.01% (-17.89%) |
行业均值 (同比增幅) |
2.31亿 (-40.62%) |
50.69亿 (+1.04%) |
4.06% (-46.3%) |
20.03% (-13.85%) |
4.56% (-41.16%) |
2.3 (+180.49%) |
12.81% (-3.03%) |
3.81次 (-13.21%) |
5.64次 (-2.59%) |
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一、经营情况讨论与分析 2023年,因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化,经历了两年高歌猛进的半导体行业进入下行周期,产品价格呈现明显下降趋势,给国内众多公司相关产品持续的市场化推广带来较大压力。与国外竞争对手的综合成本优势相比,国内掌握技术创新能力的企业在下行周期背景下的抗周期能力进一步凸显,长期助力公司规避市场波动带来的经营稳定性风险。 报告期内,公司市场均衡分布在新能源汽车、直流充电桩、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场,减小对单一市场及单一产品的依赖性,始终坚持以技术创新为驱动,持续提升产品性能,提高供货能力,不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格;进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,有效保障产能供给,持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础,紧抓国产替代的历史机遇,继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变及储能、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域,长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。报告期内,公司独创结构的Tri-gateIGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用,尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用,性能超越国际大厂,在高端应用领域实现国产替代。报告期内,公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局,在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得了较大的研发进展,其中,Si2CMOSFET持续出货,进入批量交付阶段。报告期内,公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成设计流片、可靠性评估工作,基于15V驱动平台的SiCMOSFET器件产品已经进入内部验证阶段。 报告期内,公司实现营业收入97,285.03万元,较上年同期减少12.86%;实现归属于上市公司股东的净利润14,002.50万元,较上年同期减少50.76%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11,941.51万元,较上年同期减少55.41%。同时,公司主营业务收入分产品系列实现情况如下:(1)公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入80,558.52万元,较2022年同期减少11.87%;(2)公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入12,807.17万元,较2022年同期减少17.72%;(3)公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入2,988.55万元,较2022年同期减少33.01%;(4)公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入860.34万元,较2022年同期增加321.14%;(5)公司SiC器件产品(含Si2CMOSFET)报告期内实现营业收入70.45万元,约为2022年同期收入水平的533倍。2024年,东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证,这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。 二、公司关于公司未来发展的讨论与分析 (一)公司发展战略 公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域,是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。公司领先的功率器件和工艺创新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品、中低压MOSFET器件产品领域得到了充分的验证,公司具有独立知识产权的TGBT器件迅速上量,SiC器件产品研发及客户导入顺利,受到终端客户的一致认可。未来,公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。公司制定的战略规划如下: 1、持续专注于研发高效率、低损耗产品,实现国产功率器件的自主可控 作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一,公司将进一步利用平台优势提高现有产品的性能。在高压MOSFET方面,公司将延续高压超级结MOSFET产品系列的优势,充分利用12英寸先进制程工艺,进一步提升产品动态性能,优化一致性和稳定性,降低单位面积导通电阻,并加速扩大产品在工业级应用领域的市场份额,取代更多的进口品牌的份额,实现国产高端、高速功率器件产品的自主可控。在中低压MOSFET方面,公司将扩大已有产品的优势,并在12英寸制程开发国际领先的产品,满足客户在低功耗、高功率密度领域的需求。在IGBT方面,公司计划充分发挥自主知识产权的技术优势,达到甚至超过国际先进产品的性能,借此在高端应用领域替换国外产品,实现高端应用的国产化。 2、深化与上下游优秀合作伙伴的合作,实现双赢 作为技术创新驱动型设计公司,公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabless的轻资产经营模式,充分利用国内外一流的代工资源,更快速地实现新技术的成果转化。基于上述经营模式,公司与代工合作伙伴将充分依托各自在技术、产能等方面的优势集中资源共同讨论,开发出更多优秀的产品系列,进而提高各自的竞争力,并进一步强化公司的技术优势和产能优势。 3、探索资源整合的方式,加速产品能力提升 除了通过内生发展的方式提高产品能力外,公司将探索并购整合的方式加速产品能力的提升。 在公司核心产品高性能功率器件产品上,公司将通过并购整合具有创新与技术能力的车规级功率器件设计企业、SiC功率器件设计及应用能力的企业,结合公司自身的创新技术与工艺能力经验,进一步提升在车规级功率器件领域的产品开发能力以及在先进材料领域的高性能功率器件产品开发能力。同时,公司亦会探索上下游资源整合的路径,进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构。 (二)经营计划 一直以来,公司深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,通过功率器件底层技术创新,开发出一系列性能优越的高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gateIGBT产品及SiC器件(含Si2CMOSFET)。2024年,公司将持续进行技术创新,将上述的功率器件性能进一步优化,继续扩大各个产品系列的市场份额。具体计划如下: 1、继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,实现市场的均衡化与多元化;持续开发更多新技术,以产品性能为第一竞争力,迅速提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT以及SiC器件(含Si2CMOSFET)的销售额,实现产品的多元化。 2、持续扩大各类功率器件的产能,进一步扩充12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT及6英寸SiC的产品规格与系列,扩大市场占有率。 3、将重点围绕新能源汽车应用,开发更多高可靠性的车规级高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gateIGBT及SiC芯片,提升在新能源汽车车载充电机、车载电机等应用中的市场份额。 4、继续开发新一代超级结芯片,降低芯片的比导通电阻,提升芯片的电流密度和功率密度,使之更适合于未来更大功率与更高效率的高压直流充电桩、服务器、光伏逆变器等电源系统。 5、持续开发新一代中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件技术。进一步提升屏蔽栅MOSFET的开关速度和鲁棒性,瞄准数据中心服务器、通信电源、车载应用等高端领域,提升在上述高端应用领域中的市场渗透率。 6、积极推进650V及1200VTGBT的技术升级,在第一代TGBT、第二代TGBT稳定量产的同时积极推广第三代TGBT,实现对市场上主流的第四代至第七代传统IGBT技术的大量替代,旨在提升公司IGBT产品的销售额,提高市场占有率。 7、加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度,形成一系列宽禁带半导体功率器件产品,使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充,实现更强的市场竞争力。 8、利用好上市公司的资本优势,加大在第三代半导体产业上的资本支出,布局下一代新器件赛道,以谋求公司更为长远的发展。 |
2023/06 | 净利润 | 营业收入 | ROE | 毛利率 | 净利率 | 净现比 | 费用率 | 存货周转 | 应收账款周转 | 市场占有率 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
东微半导 (同比增幅) |
1.0亿 (-14.53%) |
5.33亿 (+14.38%) |
3.53% (-51.11%) |
27.63% (-17.42%) |
18.78% (-25.03%) |
0.08 (-84.62%) |
7.67% (+37.21%) |
1.76次 (-31.52%) |
3.47次 (-17.18%) |
1.16% (+11.54%) |
行业均值 (同比增幅) |
1.61亿 (-32.35%) |
25.41亿 (-6.17%) |
2.79% (-44.09%) |
21.19% (-6.9%) |
6.35% (-27.76%) |
1.34 (+119.67%) |
12.31% (+3.62%) |
1.87次 (-31.5%) |
2.7次 (-3.23%) |
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经营情况的讨论与分析 进入 2023 年,因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、国内产能的进一步释放以及下游需求的调整引致供求关系变化。经历了两年高歌猛进的半导体行业进入下行周期,产品价格呈现明显下降趋势,给国内众多公司相关产品持续的市场化推广带来较大压力。与国外竞争对手的综合成本优势相比,国内掌握技术创新能力的企业在下行周期背景下的抗周期能力进一步凸显,长期助力公司规避市场波动带来的经营稳定性风险。 报告期内,公司市场均衡分布在光伏逆变及储能、新能源汽车、充电桩、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场,减小对单一市场及单一产品的依赖性,始终坚持以技术创新为驱动,持续提升产品性能,提高供货能力,不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格;进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,有效保障产能供给,持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础,紧抓国产替代的历史机遇,继续深耕以光伏逆变及储能、新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域,长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。公司独创器件结构的Tri-gate IGBT新型功率器件持续进入高性能光伏逆变及储能、新能源汽车直流充电桩等高效率电能转换系统应用领域,在多个重点客户实现批量供货。报告期内,公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了超前布局,在 SiC 二极管、SiCMOSFET 及 Si2CMOSFET 器件上取得了较大的研发进展,其中,Si2C MOSFET 持续出货,进入批量交付阶段。 报告期内,公司实现营业收入 5.33 亿元,比上年同期增长 14.33%;实现归属于上市公司股东的净利润 1.00 亿元,比上年同期减少 14.25%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 9,238.89 万元,比上年同期减少 16.43%。公司主营业务收入分产品系列实现情况如下: (1)公司高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.41亿元,较2022年同期增长21.16%;(2)公司中低压屏蔽栅 MOSFET 产品报告期内实现营业收入 7,060.25 万元,较 2022 年同期减少16.50%;(3)公司 Tri-gate IGBT 产品报告期内实现营业收入 1,410.82 万元,较 2022 年同期减少 17.52%;(4)公司超级硅 MOSFET 产品报告期内实现营业收入 735.43 万元,较 2022 年同期增长 984.09%;(5)公司 SiC 器件产品(含 Si2C MOSFET)报告期内实现营业收入 6.07 万元。2023年上半年,东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证,这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。 |
2022/12 | 净利润 | 营业收入 | ROE | 毛利率 | 净利率 | 净现比 | 费用率 | 存货周转 | 应收账款周转 | 市场占有率 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
东微半导 (同比增幅) |
2.84亿 (+93.2%) |
11.16亿 (+42.71%) |
16.73% (-43.93%) |
33.96% (+18.25%) |
25.47% (+35.62%) |
0.5 (-43.82%) |
5.3% (-28.76%) |
5.37次 (-15.96%) |
7.84次 (-10.81%) |
1.23% (+26.8%) |
行业均值 (同比增幅) |
3.89亿 (-22.04%) |
50.17亿 (-8.57%) |
7.56% (-34.72%) |
23.25% (+8.54%) |
7.75% (-14.74%) |
0.82 (+7.89%) |
13.21% (+8.72%) |
4.39次 (-24.18%) |
5.79次 (-5.85%) |
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一、经营情况讨论与分析 2022年,受到上一年度供需错配、“缺芯”涨价等多因素影响,功率半导体全行业终端应用市场结构性需求分化明显:以光伏逆变及储能、车载电子为代表的新能源领域需求持续高景气,而消费电子需求仍未见改观。技术创新为企业创造出更加明显的边际价值贡献,助力其穿越半导体行业周期,进一步规避市场波动带来的经营稳定性风险。 报告期内,公司市场均衡分布在光伏逆变及储能、新能源汽车、充电桩、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场,减小对单一市场及单一产品的依赖性,始终坚持以技术创新为驱动,持续提升产品性能,提高供货能力,不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格;进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,有效保障产能供给,持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础,紧抓国产替代的历史机遇,继续深耕以光伏逆变及储能、新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域,长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。公司独创器件结构的Tri-gateIGBT新型功率器件实现迅速放量并凭借优异的产品性能进入高性能储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用,在多个重点客户实现批量供货。报告期内,公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了超前布局,在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得了较大的研发进展,其中,Si2CMOSFET实现少量出货,进入批量生产阶段。 报告期内,公司实现营业收入111,636.35万元,较上年同期增长42.74%;实现归属于上市公司股东的净利润28,435.63万元,较上年同期增长93.57%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润26,778.76万元,较上年同期增长90.59%。同时,公司主营业务收入分产品系列实现情况如下:(1)公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入91,405.97万元,较2021年同期增长60.77%;(2)公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入15,564.69万元;(3)公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入4,461.27万元,较2021年同期增长685.21%;(4)公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入204.29万元;(5)报告期内,公司SiC器件(含Si2CMOSFET)首次实现营业收入。2023年,东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证,这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。 二、公司关于公司未来发展的讨论与分析 (一)公司发展战略 公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域,是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。公司领先的功率器件和工艺创新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品、中低压MOSFET器件产品领域得到了充分的验证,公司具有独立知识产权的TGBT器件迅速上量,Si2CMOSFET产品导入顺利,受到终端客户的一致认可。未来,公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。公司制定的战略规划如下: 1、持续专注于研发高效率、低损耗产品,实现国产功率器件的自主可控作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一,公司将进一步利用平台优势提高现有产品的性能。在高压MOSFET方面,公司将延续高压超级结MOSFET产品系列的优势,充分利用12英寸先进工艺,进一步提升产品动态性能,优化一致性和稳定性,降低单位面积导通电阻,并加速扩大产品在工业级应用领域的市场份额,取代更多的进口品牌的份额,实现国产高端、高速功率器件产品的自主可控。在中低压MOSFET方面,公司将扩大已有产品的优势,并在12英寸制程开发国际领先的产品,满足客户在低功耗、高功率密度领域的需求。在IGBT方面,公司计划充分发挥自主知识产权的技术优势,达到甚至超过国际先进产品的性能,借此在高端应用领域替换国外产品,实现高端应用的国产化。 2、深化与上下游优秀合作伙伴的合作,实现双赢 作为技术创新驱动型设计公司,公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabless的轻资产经营模式,充分利用国内外一流的代工资源,更快速地实现新技术的成果转化。基于上述经营模式,公司与代工合作伙伴将充分依托各自在技术、产能等方面的优势集中资源共同讨论,开发出更多优秀的产品系列,进而提高各自的竞争力,并进一步强化公司的技术优势和产能优势。 3、探索资源整合的方式,加速产品能力提升 除了通过内生发展的方式提高产品能力外,公司将探索并购整合的方式加速产品能力的提升。 在公司核心产品高性能功率器件产品上,公司将通过并购整合具有创新与技术能力的车规级功率器件设计企业、SiC功率器件设计及应用能力的企业,结合公司自身的创新技术与工艺能力经验,进一步提升在车规级功率器件领域的产品开发能力以及在先进材料领域的高性能功率器件产品开发能力。同时,公司亦会探索上下游资源整合的路径,进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构。 (二)经营计划 一直以来,公司深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,通过功率器件底层技术创新,开发出一系列性能优越的高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gateIGBT产品及SiC器件(含Si2CMOSFET)。2023年,公司将持续进行技术创新,将上述的功率器件性能进一步优化,继续扩大各个产品系列的市场份额。同时,结合当前紧迫的“双碳”目标,抓住新能源相关的市场机遇,大力发展适合新能源车应用的大功率车规级芯片,加速推广新型Tri-gateIGBT在新能源领域中的应用。具体计划如下: 1、继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域,实现市场的均衡化与多元化;持续开发更多新技术,以产品性能为第一竞争力,迅速提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT以及SiC器件(含Si2CMOSFET)的销售额,实现产品的多元化。 2、持续扩大各类功率器件的产能,进一步扩充12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT及6英寸SiC的产品规格与系列,扩大市场占有率。 3、将重点围绕新能源汽车应用,开发更多高可靠性的车规级高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、Tri-gateIGBT及SiC芯片,提升在新能源汽车车载充电机、车载电机等应用中的市场份额。 4、继续开发新一代超级结芯片,降低芯片的比导通电阻,提升芯片的电流密度和功率密度,使之更适合于未来更大功率与更高效率的高压直流充电桩、服务器、光伏逆变器等电源系统。 5、持续开发新一代中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件技术。进一步提升屏蔽栅MOSFET的开关速度和鲁棒性,瞄准数据中心服务器、通信电源、车载应用等高端领域,提升在上述高端应用领域中的市场渗透率。 6、积极推进650V及1200VTGBT的技术升级,在第一代TGBT、第二代TGBT稳定量产的同时积极研发第三代TGBT,实现对市场上主流的第四代至第七代传统IGBT技术的大量替代。基于第一代与第二代TGBT的技术优势,迅速扩大产能,提升公司IGBT产品的销售额与销售额占比,优化公司的产品组合结构,进一步实现公司产品的多元化。 7、加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度,形成一系列宽禁带半导体功率器件产品,使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充,实现更强的市场竞争力。 8、利用好上市公司的资本优势,加大在第三代半导体产业上的资本支出,布局下一代新器件赛道,以谋求公司更为长远的发展。 |
2022/06 | 净利润 | 营业收入 | ROE | 毛利率 | 净利率 | 净现比 | 费用率 | 存货周转 | 应收账款周转 | 市场占有率 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
东微半导 (同比增幅) |
1.17亿 (+125.0%) |
4.66亿 (+45.17%) |
7.22% (-38.03%) |
33.46% (+25.08%) |
25.05% (+55.11%) |
0.52 (-17.46%) |
5.59% (-18.16%) |
2.57次 (-17.1%) |
4.19次 (+7.44%) |
1.04% (+18.18%) |
行业均值 (同比增幅) |
2.38亿 (-7.03%) |
27.08亿 (-15.48%) |
4.99% (-8.44%) |
22.76% (+9.32%) |
8.79% (+10.15%) |
0.61 (+454.55%) |
11.88% (+5.13%) |
2.73次 (-7.46%) |
2.79次 (-12.54%) |
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经营情况的讨论与分析 报告期内,面对国际贸易摩擦、上游原材料供应紧张和高性能功率器件客户需求与日俱增以及新冠肺炎疫情肆虐等多重严峻挑战,公司始终坚持以底层技术创新为驱动力,持续提升产品性能,扩大供货能力,不断满足终端客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格;进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,有效保障产能供给,持续进行前沿技术的合作。凭借公司在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础,紧抓国产替代的历史机遇,继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域,长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。同时,公司大力开发以 Tri-gate IGBT为代表的新型功率器件产品,迅速扩大新型产品在公司业务版图的比重,并凭借优异的产品性能进入高性能储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用,在多个重点领域实现批量出货。 未来,公司将持续专注于新能源及汽车等中大功率应用领域,坚持技术创新驱动,以成为国际领先的功率半导体厂商为目标,为终端客户创造更大价值。 (一)产品规格、应用场景进一步丰富,终端客户群体持续拓展2022 年上半年,公司大力发展光伏逆变、储能应用、UPS 方面的业务,并持续在工业电源、新能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G 通信和基站电源、工业照明、数据中心服务器电源等领域持续发力。 1、高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 业务进展公司高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 业务进展具体表现为: (1)持续扩大超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务。报告期内,公司产品已批量出货给客户 A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟、日月元等公司应用于光伏逆变领域,并且持续增加规格设计。在光伏逆变领域用超级结芯片大量替换 IGBT 芯片可以大幅提高系统效率,因而此领域出货量迅速增加;批量出货给洛仑兹、宁德时代、图为电气等公司应用于储能领域。 (2)数据中心服务器电源领域的业务保持高速增长,该应用领域是东微半导的重点市场之一。 报告期内公司超级结 MOSFET 及 SGT MOSFET 持续批量出货给维谛技术、中国长城、客户 A、高斯宝电气、深圳雷能、麦格米特、超聚变、群光电能、全汉企业、铂科电子等公司。 (3)新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司超级结产品已批量出货给比亚迪、英搏尔、铁城科技、英威腾、欣锐科技、威迈斯等车载充电机设计制造领先企业,终端客户涉及多个国内主要的新能源汽车品牌。中低压屏蔽栅 MOSFET 批量进入比亚迪、凯斯库汽车部件等。公司也因此获得了比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021 年度优秀供应商”荣誉称号。公司与国内各主要的直流充电桩电源模块厂商建立了广泛深入的合作关系,持续批量出货客户包括英可瑞、英飞源、特锐德、永联科技、盛弘股份、优优绿能、客户 A 等。 (4)通信电源和基站电源是高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 的主要应用领域之一,也是公司的主要细分市场之一。本报告期内,对客户 A 多个主要通信电源产品线的供应快速增加、对维谛技术持续批量出货并且持续增加新的规格设计,进入其全球技术平台;对动力源、深圳雷能、麦格米特、高斯宝电气、核达中远通、金威源科技、中恒电气等客户多个规格批量出货; (5)公司在工业照明领域有广泛的市场客户群体,该领域也是高压超级结 MOSFET 的主要应用场景之一。本报告期内主要的业务进展体现在:批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份、茂硕电源、欧普照明等; (6)在各类工业电源、显示电源、适配器电源相关应用中,东微半导进入了 OPPO、安克电子等;继续批量出货视源股份、航嘉 Huntkey、天宝电子、奥海科技、台和电子、欧陆通、柏怡电子、联明电源、迈斯普、立讯精密、Foxlink(台湾正崴集团)、Foxconn(富泰华)、英维克、拓邦股份、博兰得电子等,并持续增加设计新的规格。 2、Tri-gate IGBT 产品业务进展 2022 年上半年,TGBT 产品销售额迅速增长,同比增长高达 70 倍以上。多款 TGBT 产品已经批量进入光伏逆变、储能、车载充电机等多个新能源领域的多家头部企业。经过 2021 年的小批量过程,2022 年 TGBT 产品已经进入高速增长阶段,成为公司业务的新增长点。 2022 年上半年,公司 TGBT 器件在光伏逆变器、储能、充电桩等领域获得更多的多家头部客户批量应用。TGBT产品各领域代表性的批量使用客户包括爱士惟(光伏逆变)、汇川技术(工业电源)、拓邦股份(储能)、视源股份(光伏逆变、UPS)、优优绿能(充电桩模块)等。各重要细分市场多家客户测试认证反馈性能良好,器件导入程序按计划顺利进行。E 系列高速 TGBT被批量应用于 60kHz 频率的电源系统,实现在高速 IGBT 领域的国产替代。部分车载电子客户已经使用公司开发的并联 SiC 二极管的高速系列 TGBT 产品实现对 SiCMOSFET 的替代,初步获得新能源车载充电机应用客户的批量订单。 随着 TGBT 的业务推广及性能不断优化,TGBT 订单充足,产品供不应求。为了进一步提高TGBT销量,公司一方面在产能方面进行积极扩充,另一方面也开始批量生产电流密度更高的第二代TGBT 产品以提高单位晶圆的有效颗数。随着公司 12 英寸的先进制造工艺 IGBT 及 8 英寸IGBT 新产能扩充等多个项目的顺利开展,TGBT 产品销售将实现持续高速增长。 此外,公司研发的基于 TGBT 技术的高速大电流功率器件 600/650V Hybrid-FET 开发成功,出货量迅速增加,其高性能得到了市场的认可。 3、超级硅 MOSFET 产品业务进展 公司第一代超级硅 MOSFET 器件主要应用于高密度电源,批量进入中车株洲、航嘉驰源、易米通科技、视源股份、富安电子、硕通电子等客户。凭借其高效率的特点,还通过了微逆变领域的头部客户 Enphase Energy 的认证。 作为一项新技术,第一代超级硅 MOSFET 器件主要从消费电子开始推广。随着公司第二代及第三代超级硅 MOSFET 器件的推出,超级硅 MOSFET 将可以进入诸如服务器及汽车电驱等更多高端应用领域。 4、其他产品业务进展 2022 年上半年,公司积极布局基于第三代功率半导体 SiC 材料的功率器件领域。提出新技术路线,申请相关专利对该核心技术进行全面保护。目前,新技术路线产品开发顺利,相关专利产品已在积极推广及客户认证阶段,市场进展顺利,创新技术可行性得到进一步验证。预期此系列产品将对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 进行替代。 (二)持续加大研发投入,保证公司产品性能领先 报告期内,公司积极推进主营产品高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET 及 TGBT产品平台的技术迭代升级,优化 8 英寸与 12 英寸芯片代工平台的产品布局,取得较好成效。截至本报告期末,公司共计拥有产品规格型号 1958 款,包括高压超级结 MOSFET 产品(包括超级硅MOSFET)1150 款,中低压屏蔽栅 MOSFET 产品 710 款,TGBT 产品 98 款。进一步加大对新产品与新技术研发的投入力度,积极布局第三代功率半导体产品。公司高度重视技术团队的建设,报告期内进一步扩充研发团队。截至 2022 年 06 月 30 日,公司研发部共拥有 44 名研发人员,合计占员工总数比例为 44.90%。在研发投入方面,报告期内,公司的研发费用投入为 2,072.58 万元,同比增长 25.60%。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。 综上,2022 年上半年公司主营产品技术迭代有序进行,新产品开发稳步推进,优质产能持续增加。报告期内研发经费、研发人员数量、专利数量、新品开发数量快速增加。同时,公司的研发管理体系与质量体系进一步健全,报告期内多个数字化系统上线,研发效率持续提升。 (三)持续稳定供应商关系,保证产能供给 随着新能源、光伏等领域持续高景气以及上游原材料供应紧张对全球晶圆代工行业产能带来的负面影响,晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况,进一步导致了晶圆价格的增长。报告期内,公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及 DBHitek 等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系,有效保障公司新产品研发有序推进以及供应产能稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程,根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品,持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。2022 年上半年,公司获得华虹半导体“12英寸平台累计出货 100 万片卓越贡献客户”荣誉称号。2022 年第二季度,公司供应链虽然一定程度上受到了疫情的影响,但是公司采取一系列有效措施,将疫情影响降至最低,确保了公司业务的持续高速增长。 |