- 芯导科技 (688230)- 经营分析

经营情况的讨论与分析 本报告期，在地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。 目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaNHEMT产品开发了高压P-GaNHEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 （一）报告期内主要经营情况 报告期内，公司实现营业收入13,116.02万元，较上年同期减少29.72%，其中：第二季度实现营收7,706.12万元，环比增长42.44%；实现归属于上市公司股东的净利润3,826.94万元，较上年同期减少44.20%，其中：第二季度实现2,234.68万元，环比增长40.35%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1,103.05万元，较上年同期减少74.72%，其中：第二季度实现875.26万元，环比增长284.24%。报告期内公司股份支付费用467.50万元，剔除股份支付影响，2023年上半年公司净利润为4,294.44万元，较上年同期减少37.38%。 报告期末，公司总资产220,797.09万元，较年初下降0.22%；归属于母公司的所有者权益216,364.54万元，较年初下降0.34%。 （二）报告期内重点任务完成情况 1、持续加大研发投入，提升技术创新能力 报告期内，公司投入研发费用2,130.06万元，同比增长27.77%。公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，公司有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。 （1）功率器件研发方面： ①在TVS产品方面： A．公司具有深回退特性的低容ESD产品，产品阵容在不断扩大，性能也在逐步提升，应用领域也得到了进一步拓展。在消费类电子领域的USB、Type-C、HDMI等典型应用中被大量采用，同时，也在网络通讯的信号和数据传输的保护应用中和工业方面人机界面、影像传输、信号和数据传输模块保护应用中也被设计到终端产品中，出货量逐步攀升。 B．超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的ESD产品，研发成功，并进入小批量试运营阶段，目前已被应用到终端产品，并已收到终端客户的小批试制订单。同时，针对天线端保护应用的具有高击穿特性、超低容值（0.15pF）的、超小封装、超低钳位电压的ESD产品也在开发中，目前已经完成版图设计、进入到流片阶段。以上具有0.15pF超低容值性能的ESD产品可以为5G相关应用，特别是5G信号传输方面提供更加优异的保护性能。 C．在超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品方面，在更小尺寸的封装下，开发出具有更高工作电压、更大泄放电流的产品，在一些客户的设计中，进一步降低了PCB板空间占用率，同时，开发出满足直流32V应用的超小封装、超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品，可满足未来240W充电功率的相关应用。 ②在MOSFET产品方面： A．中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET，目前已经形成1-30mR，多种封装形式的系列产品，目前在PD快充适配器，BLDC驱动，光伏逆变器、BMS等多个热门领域推广，并有部分产品已经完成验证，其中100VSGTMOS实现小批量出货。 B．低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品，目前形成1.6-10mR，多种封装形式的系列产品，并处于全面推广阶段，部分产品已经在终端客户产品应用中实现量产。特别在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。30VSGTMOS实现量产出货。 公司还将不断完善不同导通电阻和电压规格的MOSFET产品，不断拓展新的应用领域，提升MOSFET产品的市场份额。 ③在肖特基产品方面： A．具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品进入量产阶段，目前在筹备扩大产能，以满足需求的攀升。 B．目前正在开发在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，已经完成结构设计和工艺调试，目前已经进入工程批制作阶段。开发成功后，性能将具有业界领先水平。 ④在GaNHEMT产品方面： 第三代半导体650VGaNHEMT产品已具有90-250mR的系列P-GaN产品，目前该系列产品在多客户的项目中已经进入资源池，等待客户正式启动项目，进入小批量试运营。此外，中低压GaNHEMT产品已经进入流片阶段，以及cascode结构GaNHEMT也正在开发中。GaNHEMT产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点，在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，在快充电源、5G通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。 （2）功率IC研发方面： ①过流过压保护类IC产品系列化不断丰富，成功导入知名品牌客户产品中，实现量产； ②能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，已流片成功，正在积极推广中； ③大电流降压DC-DC产品具有高效率高可靠性的特点，已扩展到工控领域的应用，实现出货； ④为了应对客户日益增长的功耗管理需求，对现有产品进行系列化，拓展了限流负载开关产品，丰富了开关保护IC品类，面向工业品类的方向开始有序推进； ⑤在相关的新能源应用领域，公司坚持第三代半导体GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发,高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，并实现小批量出货。 2、不断巩固客户合作，积极推动市场开拓 报告期内，公司不断巩固与现有客户的合作关系。在智能手机市场，公司客户涵盖了小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的ODM手机厂商；在TWS耳机方面，公司客户包含了小米、华为、OPPO、安克、森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌；在电子烟产品方面，公司客户包括了思摩尔、海派特、悦刻、同跃等品牌；在智能穿戴方面公司拥有客户魔样。基于与上述客户长期稳定的合作关系，公司围绕客户的需求积极开展产品升级迭代与新产品的研发工作。 报告期内，公司新增VR领域某全球知名客户、电子烟客户星泽威、电源管理客户天宝等。围绕公司战略布局，公司正积极拓展汽车电子、光伏储能等领域，不断完善营销体系，加强营销团队建设，加大新客户开发力度，提升客户满意度，进一步提高市场份额。 3、全面优化供应链管理，有效控制运营成本 报告期内，公司全面优化供应链管理，与现有供应商深化合作的同时，不断拓展和完善供应链系统，优化供应链管理流程，提高管理效率，有效控制营业成本。公司与多家晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了合作关系，后续将逐步形成深度合作，公司品牌影响力、产品竞争力及市场占有率将得到提升。 4、稳步推行股权激励，完善人才梯队建设 报告期内，为进一步完善公司法人治理结构，建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住公司优秀人才，充分调动其积极性和创造性，有效提升核心团队凝聚力和企业核心竞争力，有效地将股东、公司和核心团队三方利益结合在一起，使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现，在充分保障股东利益的前提下，公司推出了《上海芯导电子科技股份有限公司2023年限制性股票激励计划》，向52名激励对象首次授予80万股限制性股票。

一、经营情况讨论与分析 2022年度，在地缘政治局势复杂多变、宏观经济增速放缓及行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。 目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对 TVS 产品先后开发了平面工艺普通容值 TVS 技术平台、平面工艺低容值 TVS 技术平台、改进型台面工艺TVS 技术平台、深槽隔离工艺 TVS 技术平台、穿通型 NPN 结构工艺 TVS 技术平台等；公司针对MOSFET 产品先后开发了平面（Planar）工艺 MOSFET 技术平台、沟槽（Trench）工艺 MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺 MOSFET 技术平台、屏蔽栅工艺 MOSFET 技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽 MOS 型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽 MOS 型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体 GaNHEMT产品开发了高压 P-GaNHEMT 技术平台；公司针对IC 产品先后开发了 PSC 技术平台、过压保护类技术平台、PB 技术平台、音频功放技术平台、DC-DC 技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 报告期内，公司实现营业收入 33,614.79 万元，较上年同期减少 29.33%；实现归属于母公司所有者的净利润 11,944.63 万元，较上年同期增长 4.30%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 6,541.15 万元，较上年同期减少 39.71%。 报告期末，公司总资产221,276.33万元，同比增长3.00%；归属于母公司的所有者权益217,110.10 万元，同比增长 4.00%。 二、公司关于公司未来发展的讨论与分析 (一) 公司发展战略 公司以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”为使命，始终致力于功率半导体的研发与销售，坚持以市场为导向，高度重视自主研发和技术创新，以满足客户需求为核心，对标行业先进技术和产品进行研发的同时，致力于逐步开发出具有完全自主知识产权的创新产品。 未来，公司将继续围绕客户需求，坚持技术创新，持续打造研发技术平台，推动功率器件和功率 IC 的技术迭代和产品升级，以满足客户新的需求，赢得市场。同时，公司将坚持以自主研发为主，不断引进研发人员，加大研发投入，加强行业交流，紧跟行业前沿技术，确保公司技术、产品始终保持行业先进水平。 公司将在发展现有功率器件、功率 IC 的基础上，不断丰富功率器件、功率 IC 产品类别和型号，拓展产品应用领域。产品结构方面，公司将持续加强功率 IC 产品研发，将功率 IC 产品系列化，提升功率 IC 营收规模，助力公司进一步发展壮大，持续提升行业地位。应用领域方面，在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，将产品向汽车电子、新能源等领域积极拓展。同时，加强行业交流，掌握行业动态，提升业务能力，深耕国内市场的同时，进一步拓展海外市场。 (二) 经营计划 公司将紧紧围绕企业发展战略，以技术创新为核心，以市场需求为导向，结合行业动向，拟作出如下经营计划： 1、稳步推进研发中心等募投项目建设 公司已购置研发中心办公场地并已完成装修工作，在此基础上，公司将整合研发资源，通过建设新产品研发实验室，配备先进的研究实验设备与检测设备、引进专业技术人才，将研发中心建设成为集产品设计与封装、功能验证及可靠性试验等为一体的综合性平台型研发中心。 基于公司募投项目“高性能分立功率器件开发和升级”、“高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化”、“硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目”的实施主体由上海调整为上海、无锡，公司将按计划结合实际进度切实组织募投项目的实施，健全创新机制，加大技术研发投入，推动公司技术创新和产品迭代、扩张业务规模、提高市场占有率、提升核心竞争力。 2、新产品研发及技术平台升级逐步提速 针对功率器件，公司将开发一系列应用于消费类电子、物联网、工业控制、汽车电子等领域的大功率高性能 ESD/TVS 产品、超低 Vf 的肖特基二极管以及超低导通阻抗、超低栅极电荷的MOSFET、第三代半导体 GaN-on-SiHEMT 功率器件，同时扩展现有的产品系列，保持一定的产品更新换代速度。 针对功率 IC 产品，公司将加速 USBPD 快充技术的开发，以满足 5G 时代手机快充市场；加速有竞争力的 DC-DC、LDO 稳压器产品开发和布局，抢占 5G 时代手机终端需求及随之而来的物联网（IOT）平台超低功耗电源管理；扩展现有开关充电/线性充电/PowerBank 充电管理产品的产品型号，扩大公司电源产品的市场覆盖率和市场份额。 公司将结合募投项目的实施，对技术平台进行升级，为公司后续技术研发和新产品开发提供更加有力的支撑，保持公司竞争力水平。 3、加强市场拓展，进一步提升品牌优势 公司将充分利用现有的技术优势和产品供应优势，根据市场需求不断推陈出新，丰富产品类别，拓展应用领域，在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，将产品向汽车电子、新能源等领域积极拓展。保证产品质量，提升服务质量，为客户提供更加丰富的产品和优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长。随着公司业务的增长，公司将进一步提升公司品牌优势，与业绩增长形成良性循环。 4、关注行业优质标的，积极整合上下游资源 以公司参与投资产业基金为契机，伴随着下游消费电子、物联网、工业控制、汽车电子等应用市场的大力推广带来的市场机遇，公司将持续关注与公司技术、产品、业务等协同性好的优质上下游资源，充分调研并科学、审慎地进行投资项目的可行性分析，积极整合上下游资源，进一步优化公司投资结构。 5、加强人才梯队建设，重视研发团队培养 人才是兴业之本，创新之源，高素质的技术与管理人才更是企业可持续发展的保障。公司将不断建立健全人力资源管理体系，深入实施人才强企战略，全方位引进、培养、激励人才，切实把人才优势转化为企业的竞争优势。公司将通过具有竞争优势的薪酬与股权激励相结合的方式，搭建为各类人才提供适合其价值发挥的平台与土壤，积极扩充研发团队，打造完整的人才供应链，持续为企业输送优秀人力资源，推动并实现企业战略目标。 6、优化企业管理体系，提升经营管理水平 公司将持续提升经营管理水平，完善公司内部管理相关规章制度，提升管理人员综合能力和经营决策效率；加强业务培训，提升公司人员按程序办事的意识和责任意识，打造业内知名品牌产品。同时，公司将进一步加强研发管理、采购管理、经销商管理，有效保障产品质量和服务质量，维护公司品牌形象，赢得市场，获得客户认可和信任。 以上经营计划不构成业绩承诺，敬请广大投资者审慎判断，关注公司经营风险提示内容，注意投资风险。

经营情况的讨论与分析 公司作为一家经过多年技术发展与积累的功率半导体设计企业，凭借优秀的研发能力及研发团队，已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaNHEMT产品开发了高压P-GaNHEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 报告期内主要经营情况 报告期内，公司实现营业收入18,661.27万元，较上年同期减少29.15%；实现归属于母公司所有者的净利润6,858.05万元，较上年同期增长7.81%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润4,363.84万元，较上年同期减少29.50%。 报告期末，公司总资产217,662.44万元，同比增长1.32%；归属于母公司的所有者权益212,023.51万元，同比增长1.56%。